Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Reddy V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Bikshalu K. 
Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lanthana Nano Oxide Layers [Електронний ресурс] / K. Bikshalu, M. V. Manasa, V. S. K. Reddy, P. C. S. Reddy, K. Venkateswara Rao // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04058-1-04058-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4(2)__14
The intense downscaling of a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) to nano range for improving the device performance requires a high-k dielectric material instead of conventional silica (SiO2) as to avoid Quantum Mechanical Tunneling towards the gate terminal which leads to unnecessary gate current. Out of all the rare earth oxide materials, since lanthana (La2O3) has significantly high dielectric constant (k) and bandgap, weіve chosen it as oxide layer for one of the MOSFETs. In this work, we simulated two MOSFETs - one with nano SiO2 oxide layer and other with nano La2O3 oxide layer in the atomic level to analyze and compare the transmission spectra, I - V characteristics and Channel conductance of both the MOSFETs.
Попередній перегляд:   Завантажити - 374.838 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Reddy V. N. 
Electrical Characteristics of Au/n-GaN Schottky Junction with a High-K SrTiO3 Insulating Layer [Електронний ресурс] / V. N. Reddy, D. V. Vivekananda, G. S. Krishna, B. S. Vivek, P. Vimala // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04005-1-04005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 654.492 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Sengar S. 
Design of a Novel Capsule-Shaped Compact UWB Antenna for 5G Wireless Applications [Електронний ресурс] / S. Sengar, P. K. Malik, V. S. Reddy, S. Das // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 4. - С. 04031-1-04031-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_4_33
Попередній перегляд:   Завантажити - 886.238 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського